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Renesas Electronics CA3130EZ

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8DIP
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :CA3130EZ
Dasenic Número de pieza :CA3130EZ-DS
Ficha de datos :pdf download CA3130EZ Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8DIP
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 4.1220$ 4.12
10+$ 2.6730$ 26.73
25+$ 4.1220$ 103.05
100+$ 1.8668$ 186.68
250+$ 1.6568$ 414.2
En stock: 13950
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 4.122
Total :$ 4.12
Entrega :
dhlupsfedex
Pago :
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CA3130EZ información

  • Renesas Electronics CA3130EZ especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 125°C
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 電流 - 供給:10mA
  • 出力タイプ:-
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-PDIP
  • 回路数:1
  • アンプタイプ:General Purpose
  • -3db帯域幅:-
  • 電流 - 出力 / チャンネル:45 mA
  • スルーレート:30V/µs
  • ゲイン帯域幅積:15 MHz
  • 電流 - 入力バイアス:5 pA
  • 電圧 - 入力オフセット:8 mV
  • 電圧 - 供給範囲(最小):5 V
  • 電圧 - 供給範囲(最大):16 V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8542.33.0001
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
CA3130EZ fornecido por Renesas Electronics
ルネサス エレクトロニクス株式会社は、産業、自動車、民生、その他の分野のさまざまなアプリケーション向けに高度な半導体ソリューションを提供する日本の半導体メーカーです。同社は、日立、三菱電機、NECエレクトロニクスの合弁会社として2003年に設立され、東京に本社を置いています。ルネサス エレクトロニクスは、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、システムオンチップ(SoC)、アナログおよびパワーデバイス、メモリデバイス、システム開発用のさまざまなソフトウェアやツールなど、幅広い製品とサービスを提供しています。これらの製品は、自動車、産業、家電、モバイルデバイス、ヘルスケアなど、さまざまなアプリケーションで使用されています。ハードウェア製品に加えて、ルネサスはお客様が独自のソリューションを開発および展開するのに役立つソフトウェアとツールも提供しています。e² studio統合開発環境(IDE)は複数の言語とプラットフォームをサポートしており、ルネサスはさまざまなアプリケーション向けのさまざまなソフトウェアスタックを提供しています。ルネサスはグローバルに展開しており、アジア、ヨーロッパ、南北アメリカにオフィスと製造施設があります。
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