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Renesas Electronics EL7158ISZ-T7
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
N.º de pieza del fabricante :EL7158ISZ-T7
Fabricante :Renesas Electronics
Dasenic Número de pieza :EL7158ISZ-T7-DS
Ficha de datos :
EL7158ISZ-T7 Ficha de datos
EL7158ISZ-T7 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 6+ | $ 8.6096 | $ 51.66 |
| 13+ | $ 7.0643 | $ 91.84 |
| 20+ | $ 6.8436 | $ 136.87 |
| 28+ | $ 6.6228 | $ 185.44 |
| 36+ | $ 6.4021 | $ 230.48 |
En stock: 7603
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 8.6096
Total :$ 8.61
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EL7158ISZ-T7 información
Renesas Electronics EL7158ISZ-T7 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- 電圧 - 供給:4.5V ~ 12V
- チャンネルタイプ:Single
- 駆動構成:High-Side or Low-Side
- ドライバー数:1
- ゲートタイプ:IGBT
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 2.4V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:12A, 12A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
- 上昇/下降時間（標準）:12ns, 12.2ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
EL7158ISZ-T7 fornecido por Renesas Electronics
ルネサス エレクトロニクス株式会社は、産業、自動車、民生、その他の分野のさまざまなアプリケーション向けに高度な半導体ソリューションを提供する日本の半導体メーカーです。同社は、日立、三菱電機、NECエレクトロニクスの合弁会社として2003年に設立され、東京に本社を置いています。ルネサス エレクトロニクスは、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、システムオンチップ（SoC）、アナログおよびパワーデバイス、メモリデバイス、システム開発用のさまざまなソフトウェアやツールなど、幅広い製品とサービスを提供しています。これらの製品は、自動車、産業、家電、モバイルデバイス、ヘルスケアなど、さまざまなアプリケーションで使用されています。ハードウェア製品に加えて、ルネサスはお客様が独自のソリューションを開発および展開するのに役立つソフトウェアとツールも提供しています。e² studio統合開発環境（IDE）は複数の言語とプラットフォームをサポートしており、ルネサスはさまざまなアプリケーション向けのさまざまなソフトウェアスタックを提供しています。ルネサスはグローバルに展開しており、アジア、ヨーロッパ、南北アメリカにオフィスと製造施設があります。
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