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IDT, Integrated Device Technology Inc ISL6620IRZ-T
Half Bridge MOSFET 2A 4.5V~5.5V 2A DFN-10-EP(3x3) Gate Drive ICs
N.º de pieza del fabricante :ISL6620IRZ-T
Fabricante :IDT, Integrated Device Technology Inc
Dasenic Número de pieza :ISL6620IRZ-T-DS
Ficha de datos :
ISL6620IRZ-T Ficha de datos
ISL6620IRZ-T Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : Half Bridge MOSFET 2A 4.5V~5.5V 2A DFN-10-EP(3x3) Gate Drive ICs
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 1.4220 | $ 1.42 |
| 25+ | $ 1.3950 | $ 34.88 |
| 100+ | $ 1.3410 | $ 134.1 |
| 500+ | $ 1.2780 | $ 639 |
| 1000+ | $ 1.2060 | $ 1206 |
En stock: 28800
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 1.422
Total :$ 1.42
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ISL6620IRZ-T información
IDT, Integrated Device Technology Inc ISL6620IRZ-T especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Obsolete
- パッケージ/ケース:10-VFDFN Exposed Pad
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
- 電圧供給:4.5V ~ 5.5V
- 入力タイプ:Non-Inverting
- チャネルタイプ:Synchronous
- ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
- ドライバー数:2
- 上昇/下降時間(標準):8ns, 8ns
- 駆動構成:Half-Bridge
- 電流ピーク出力(ソースシンク):2A, 2A
- ハイサイド電圧最大(ブートストラップ):36 V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
ISL6620IRZ-T fornecido por IDT, Integrated Device Technology Inc
ルネサス エレクトロニクス株式会社 (TSE: 6723) は、マイクロコントローラの世界的リーダーであり、高度な半導体ソリューションの優先プロバイダーです。ルネサス エレクトロニクスは、2002 年 11 月に日立セミコンダクタと三菱電機の 2 つの日本の大手半導体企業の合併により設立されました。マイクロコントローラ、アナログ、電源、SoC 製品の世界的リーダーとして、ルネサスは自動車、産業、家庭用電化製品、オフィス オートメーション、情報通信技術など、幅広いアプリケーションに包括的なソリューションを提供しています。同社のグローバル本社は東京にあります。ルネサス エレクトロニクスは、ヨーロッパ、中東、アジア、北米にオフィス、研究開発センター、製造施設、販売拠点を持ち、世界的に大きな足跡を残しています。
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