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Renesas Electronics ISL2100AAR3Z
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 9DFN
N.º de pieza del fabricante :ISL2100AAR3Z
Fabricante :Renesas Electronics
Dasenic Número de pieza :ISL2100AAR3Z-DS
Ficha de datos :
ISL2100AAR3Z Ficha de datos
ISL2100AAR3Z Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 9DFN
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 8.0800 | $ 8.08 |
| 10+ | $ 5.2800 | $ 52.8 |
| 100+ | $ 4.6800 | $ 468 |
| 250+ | $ 4.4000 | $ 1100 |
| 490+ | $ 4.1000 | $ 2009 |
En stock: 1503
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 8.08
Total :$ 8.08
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ISL2100AAR3Z información
Renesas Electronics ISL2100AAR3Z especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:9-VFDFN Exposed Pad
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:9-DFN-EP (3x3)
- 電圧 - 供給:9V ~ 14V
- チャンネルタイプ:Independent
- 駆動構成:Half-Bridge
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:3.7V, 7.4V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:2A, 2A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):114 V
- 上昇/下降時間（標準）:10ns, 10ns
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:2 (1 Year,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ISL2100AAR3Z fornecido por Renesas Electronics
ルネサス エレクトロニクス株式会社は、産業、自動車、民生、その他の分野のさまざまなアプリケーション向けに高度な半導体ソリューションを提供する日本の半導体メーカーです。同社は、日立、三菱電機、NECエレクトロニクスの合弁会社として2003年に設立され、東京に本社を置いています。ルネサス エレクトロニクスは、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、システムオンチップ（SoC）、アナログおよびパワーデバイス、メモリデバイス、システム開発用のさまざまなソフトウェアやツールなど、幅広い製品とサービスを提供しています。これらの製品は、自動車、産業、家電、モバイルデバイス、ヘルスケアなど、さまざまなアプリケーションで使用されています。ハードウェア製品に加えて、ルネサスはお客様が独自のソリューションを開発および展開するのに役立つソフトウェアとツールも提供しています。e² studio統合開発環境（IDE）は複数の言語とプラットフォームをサポートしており、ルネサスはさまざまなアプリケーション向けのさまざまなソフトウェアスタックを提供しています。ルネサスはグローバルに展開しており、アジア、ヨーロッパ、南北アメリカにオフィスと製造施設があります。
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