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SemiQ GCMS080B120S1-E1
SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
N.º de pieza del fabricante :GCMS080B120S1-E1
Fabricante :SemiQ
Dasenic Número de pieza :GCMS080B120S1-E1-DS
Ficha de datos :
GCMS080B120S1-E1 Ficha de datos
GCMS080B120S1-E1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 23.4360 | $ 23.44 |
| 10+ | $ 18.5220 | $ 185.22 |
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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GCMS080B120S1-E1 información
SemiQ GCMS080B120S1-E1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
- テクノロジー:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227
- 消費電力（最大）:142W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:30A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:100mOhm @ 20A, 20V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 10mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:58 nC @ 20 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1374 pF @ 1000 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:20V
- Vgs (最大):+25V, -10V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GCMS080B120S1-E1 fornecido por SemiQ
SemiQ Inc. は、米国を拠点とするシリコンカーバイド (SiC) パワー半導体デバイスおよび材料の開発および製造会社で、SiC パワー MPS ダイオード、SiC モジュール、SiC パワー MOSFET、SiC カスタム モジュール、SiC ベア ダイ、SiC カスタム N タイプ エピ ウェハーなどを開発しています。SemiQ は非公開企業で、一部は従業員所有です。SemiQ (旧称 Global Power Technologies Group) は、南カリフォルニアの本社で 2012 年にシリコンカーバイド技術の開発を開始し、エピの成長とデバイス設計も行っています。最近、SemiQ は、サージ電流、耐湿性、全体的な堅牢性と耐久性が向上した Gen 3 SiC ショットキー ダイオード (Merged PiN ショットキー タイプ) をリリースしました。 SemiQ 製品は、EV 充電システム、誘導加熱、電源、燃料電池発電、および世界中の太陽光インバータに導入されています。さらに、SemiQ は電力変換アプリケーションの専門知識を提供し、3.3kW、6.6kW 以上のインバータの設計で豊富な経験を持っています。SemiQ の製造およびエンジニアリング施設は、カリフォルニア州レイクフォレストにあります。同社は完全に冗長化された SiC サプライ チェーンを持っています。
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