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SemiQ GP3D015A120B
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
N.º de pieza del fabricante :GP3D015A120B
Fabricante :SemiQ
Dasenic Número de pieza :GP3D015A120B-DS
Ficha de datos :
GP3D015A120B Ficha de datos
GP3D015A120B Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 30+ | $ 12.0747 | $ 362.24 |
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GP3D015A120B información
SemiQ GP3D015A120B especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-2
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-2
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):15A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.6 V @ 15 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:30 µA @ 1200 V
- 静電容量 @ Vr、 F:962pF @ 1V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GP3D015A120B fornecido por SemiQ
SemiQ Inc. は、米国を拠点とするシリコンカーバイド (SiC) パワー半導体デバイスおよび材料の開発および製造会社で、SiC パワー MPS ダイオード、SiC モジュール、SiC パワー MOSFET、SiC カスタム モジュール、SiC ベア ダイ、SiC カスタム N タイプ エピ ウェハーなどを開発しています。SemiQ は非公開企業で、一部は従業員所有です。SemiQ (旧称 Global Power Technologies Group) は、南カリフォルニアの本社で 2012 年にシリコンカーバイド技術の開発を開始し、エピの成長とデバイス設計も行っています。最近、SemiQ は、サージ電流、耐湿性、全体的な堅牢性と耐久性が向上した Gen 3 SiC ショットキー ダイオード (Merged PiN ショットキー タイプ) をリリースしました。 SemiQ 製品は、EV 充電システム、誘導加熱、電源、燃料電池発電、および世界中の太陽光インバータに導入されています。さらに、SemiQ は電力変換アプリケーションの専門知識を提供し、3.3kW、6.6kW 以上のインバータの設計で豊富な経験を持っています。SemiQ の製造およびエンジニアリング施設は、カリフォルニア州レイクフォレストにあります。同社は完全に冗長化された SiC サプライ チェーンを持っています。
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