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SemiQ GPI040A060MN-FD
IGBT 600V 80A 231W TO3PN
N.º de pieza del fabricante :GPI040A060MN-FD
Fabricante :SemiQ
Dasenic Número de pieza :GPI040A060MN-FD-DS
Ficha de datos :
GPI040A060MN-FD Ficha de datos
GPI040A060MN-FD Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT 600V 80A 231W TO3PN
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GPI040A060MN-FD información
SemiQ GPI040A060MN-FD especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-3P-3, SC-65-3
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:231 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-3PN
- 逆回復時間 (trr):60 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):80 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
- I G B Tタイプ:Trench Field Stop
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.3V @ 15V, 40A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):120 A
- エネルギーの切り替え:1.46mJ (on), 540µJ (off)
- ゲートチャージ:173 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:35ns/85ns
- テスト条件:400V, 40A, 5Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GPI040A060MN-FD fornecido por SemiQ
SemiQ Inc. は、米国を拠点とするシリコンカーバイド (SiC) パワー半導体デバイスおよび材料の開発および製造会社で、SiC パワー MPS ダイオード、SiC モジュール、SiC パワー MOSFET、SiC カスタム モジュール、SiC ベア ダイ、SiC カスタム N タイプ エピ ウェハーなどを開発しています。SemiQ は非公開企業で、一部は従業員所有です。SemiQ (旧称 Global Power Technologies Group) は、南カリフォルニアの本社で 2012 年にシリコンカーバイド技術の開発を開始し、エピの成長とデバイス設計も行っています。最近、SemiQ は、サージ電流、耐湿性、全体的な堅牢性と耐久性が向上した Gen 3 SiC ショットキー ダイオード (Merged PiN ショットキー タイプ) をリリースしました。 SemiQ 製品は、EV 充電システム、誘導加熱、電源、燃料電池発電、および世界中の太陽光インバータに導入されています。さらに、SemiQ は電力変換アプリケーションの専門知識を提供し、3.3kW、6.6kW 以上のインバータの設計で豊富な経験を持っています。SemiQ の製造およびエンジニアリング施設は、カリフォルニア州レイクフォレストにあります。同社は完全に冗長化された SiC サプライ チェーンを持っています。
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