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SemiQ GSXF100A120S1-D3
DIODE FAST REC 1200V 100A SOT227
- N.º de pieza del fabricante :GSXF100A120S1-D3
- Fabricante :SemiQ
- Dasenic Número de pieza :GSXF100A120S1-D3-DS
- Ficha de datos :
GSXF100A120S1-D3 Ficha de datos - Descripción : DIODE FAST REC 1200V 100A SOT227
- Paquete :-
- Cantidad :Precio unitario : $ 32.292Total : $ 32.29
- El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
- Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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( MOQ : 1 PCS )Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
| Cantidad | Precio unitario | Total |
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SemiQ GSXF100A120S1-D3 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Estado del producto:Active
Tipo de montaje:Chassis Mount
Paquete / Caja:SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor:SOT-227
Velocidad:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tipo de diodo:Standard
Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:2.35 V @ 100 A
Corriente - Fuga inversa @ Vr:25 µA @ 1200 V
Configuración de diodos:2 Independent
Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):1200 V
Corriente rectificada promedio ( Io) (por diodo):100A
Tiempo de recuperación inversa (trr):125 ns
Temperatura de funcionamiento - Unión:-55°C ~ 175°C
Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Estado de ALCANCE:REACH Affected
ECCN de EE. UU.:EAR99
HTS EE. UU.:8541.10.0080
Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SemiQ GSXF100A120S1-D3
SemiQ Inc. es un desarrollador y fabricante con sede en EE. UU. de dispositivos y materiales semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC), incluidos: diodos MPS de potencia de SiC, módulos de SiC, MOSFET de potencia de SiC, módulos personalizados de SiC, matriz desnuda de SiC, obleas Epi de tipo N personalizadas de SiC, etc. SemiQ es una empresa privada y parcialmente propiedad de los empleados. SemiQ (anteriormente conocida como Global Power Technologies Group) comenzó a desarrollar tecnologías de carburo de silicio en 2012 en su sede en el sur de California, donde también cultiva Epi y diseña dispositivos. Recientemente, SemiQ lanzó sus diodos Schottky de SiC Gen 3 (tipo Schottky PiN fusionado) que incluyeron mejoras en la corriente de sobretensión, la resistencia a la humedad y la robustez y resistencia generales. Los productos SemiQ se utilizan en sistemas de carga de vehículos eléctricos, calentamiento por inducción, fuentes de alimentación, generación de energía a partir de pilas de combustible e inversores solares en todo el mundo. Además, SemiQ ofrece conocimientos sobre aplicaciones de conversión de energía y tiene una amplia experiencia en el diseño de inversores de 3,3 kW, 6,6 kW y superiores. Las instalaciones de fabricación e ingeniería de SemiQ se encuentran en Lake Forest, California. La empresa cuenta con una cadena de suministro de SiC totalmente redundante.
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