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1 : $17.5680

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Texas Instruments DRV8353HMRTAT

100-V THREE-PHASE SMART GATE DRI
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :DRV8353HMRTAT
Fabricante :Texas Instruments
Dasenic Número de pieza :DRV8353HMRTAT-DS
Referencia de cliente :
Descripción : 100-V THREE-PHASE SMART GATE DRI
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 17.5680$ 17.57
10+$ 16.2270$ 162.27
25+$ 15.4440$ 386.1
100+$ 13.8150$ 1381.5
250+$ 13.1760$ 3294
En stock: 4197
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 17.568
Total :$ 17.57
Entrega :
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Pago :
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DRV8353HMRTAT información

  • Texas Instruments DRV8353HMRTAT especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Motor Drivers, Controllers
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 125°C (TA)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:40-WFQFN Exposed Pad
  • テクノロジー:Power MOSFET
  • インタフェース:SPI
  • サプライヤーデバイスパッケージ:40-WQFN (6x6)
  • 電圧 - 供給:7V ~ 75V
  • 電流 - 出力:25mA
  • 出力構成:Half Bridge (3)
  • 電圧 - 負荷:9V ~ 100V
  • モータータイプ - ステッパー:Multiphase
  • モータータイプ - A C、 D C:Brushless DC (BLDC)
  • ステップ解像度:-
  • アプリケーション:Brushless DC (BLDC)
  • 関数:Controller - Commutation, Direction Management
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8542.39.0001
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DRV8353HMRTAT fornecido por Texas Instruments
1930 年に設立された Texas Instruments (Nasdaq: TXN) は、アナログおよび組み込み処理チップの設計、製造、テスト、販売を行う世界的な半導体企業です。TI の製品は、低消費電力、低コストのデバイスから高性能の専用ソリューションまで多岐にわたります。マイクロコントローラ、アナログ/デジタル コンバータ (ADC)、デジタル/アナログ コンバータ (DAC)、オペアンプ、電源管理 IC など、約 80,000 種類の製品を取り揃え、産業、自動車、パーソナル エレクトロニクス、通信機器、エンタープライズ システムなどの市場に進出する 100,000 社以上のお客様が、電力を効率的に管理し、データを正確に感知して送信し、設計の中核となる制御や処理を提供するのを支援しています。TI は、世界各地に所有され、地域的に多様な社内製造業務を長年にわたって展開しており、世界中に 15 の製造拠点、12 のウェーハ工場、7 つの組み立ておよびテスト工場、複数のバンプおよびプローブ施設を有しています。
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