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1 : $2.0223

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Texas Instruments THS4551IRGTR

IC OPAMP DIFF 1 CIRCUIT 16VQFN
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :THS4551IRGTR
Fabricante :Texas Instruments
Dasenic Número de pieza :THS4551IRGTR-DS
Referencia de cliente :
Descripción : IC OPAMP DIFF 1 CIRCUIT 16VQFN
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
23+$ 2.0223$ 46.51
48+$ 1.8918$ 90.81
74+$ 1.8261$ 135.13
107+$ 1.6956$ 181.43
138+$ 1.6308$ 225.05
En stock: 8795
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 2.0223
Total :$ 2.02
Entrega :
dhlupsfedex
Pago :
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Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.

THS4551IRGTR información

  • Texas Instruments THS4551IRGTR especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-40°C ~ 125°C
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:16-VFQFN Exposed Pad
  • 電流 - 供給:1.37mA
  • 出力タイプ:Rail-to-Rail
  • サプライヤーデバイスパッケージ:16-VQFN (3x3)
  • 回路数:1
  • アンプタイプ:Differential
  • -3db帯域幅:150 MHz
  • 電流 - 出力 / チャンネル:65 mA
  • スルーレート:220V/µs
  • ゲイン帯域幅積:135 MHz
  • 電流 - 入力バイアス:1 µA
  • 電圧 - 入力オフセット:50 µV
  • 電圧 - 供給範囲(最小):2.7 V
  • 電圧 - 供給範囲(最大):5.4 V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8542.33.0001
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
THS4551IRGTR fornecido por Texas Instruments
1930 年に設立された Texas Instruments (Nasdaq: TXN) は、アナログおよび組み込み処理チップの設計、製造、テスト、販売を行う世界的な半導体企業です。TI の製品は、低消費電力、低コストのデバイスから高性能の専用ソリューションまで多岐にわたります。マイクロコントローラ、アナログ/デジタル コンバータ (ADC)、デジタル/アナログ コンバータ (DAC)、オペアンプ、電源管理 IC など、約 80,000 種類の製品を取り揃え、産業、自動車、パーソナル エレクトロニクス、通信機器、エンタープライズ システムなどの市場に進出する 100,000 社以上のお客様が、電力を効率的に管理し、データを正確に感知して送信し、設計の中核となる制御や処理を提供するのを支援しています。TI は、世界各地に所有され、地域的に多様な社内製造業務を長年にわたって展開しており、世界中に 15 の製造拠点、12 のウェーハ工場、7 つの組み立ておよびテスト工場、複数のバンプおよびプローブ施設を有しています。
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