Las imágenes son sólo para referencia.
1 : $9.3510
El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !
Alliance Memory AS4C256M16D3LC-12BCNTR
N.º de pieza del fabricante :AS4C256M16D3LC-12BCNTR
Fabricante :Alliance Memory
Dasenic Número de pieza :AS4C256M16D3LC-12BCNTR-DS
Ficha de datos : AS4C256M16D3LC-12BCNTR Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
En stock: 7500
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 9.351
Total :$ 9.35
Entrega :
Pago :
Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.
Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.
Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.
Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.
AS4C256M16D3LC-12BCNTR información
Alliance Memory AS4C256M16D3LC-12BCNTR especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 95°C (TC)
- Tipo de montaje:Surface Mount
- Paquete / Caja:96-TFBGA
- Tecnología:SDRAM - DDR3L
- Paquete de dispositivo del proveedor:96-FBGA (7.5x13.5)
- Tamaño de la memoria:4Gb (256M x 16)
- Tipo de memoria:Volatile
- Voltaje - Suministro:1.283V ~ 1.45V
- Frecuencia de reloj:800 MHz
- Tiempo de acceso:20 ns
- Formato de memoria:DRAM
- Interfaz de memoria:Parallel
- Tiempo de ciclo de escritura - Word, Page:15ns
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8542.32.0036
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS4C256M16D3LC-12BCNTR fornecido por Alliance Memory
Alliance Memory es un fabricante mundial de productos de memoria heredados y de nueva tecnología que son reemplazos pin por pin para circuitos integrados SRAM, DRAM y NOR FLASH de Micron, Samsung, ISSI, Cypress, Nanya, Hynix y otros. Nuestro objetivo es establecer relaciones a largo plazo con los clientes y brindar soporte a largo plazo para las piezas que fabricamos. Entregamos la mayoría de nuestros productos SRAM, DRAM y FLASH directamente desde stock, con inventario en los EE. UU., Shanghái y Taiwán. Nuestros precios competitivos, rápida entrega de muestras y servicio y soporte al cliente de primera clase han hecho de Alliance Memory un recurso confiable para una gama cada vez mayor de circuitos integrados de memoria imprescindibles para los mercados de comunicaciones, informática, integrados, IoT, industrial y de consumo. Alliance Memory, Inc. es una empresa privada con sede en Washington, EE. UU.
Alliance Memory Productos relacionados
Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.