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Alliance Memory AS4C64M8D1-5BIN

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :AS4C64M8D1-5BIN
Fabricante :Alliance Memory
Dasenic Número de pieza :AS4C64M8D1-5BIN-DS
Referencia de cliente :
Descripción : IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 4.9230$ 4.92
10+$ 3.9330$ 39.33
100+$ 3.9150$ 391.5
240+$ 3.6630$ 879.12
480+$ 3.5010$ 1680.48
En stock: 5448
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 4.923
Total :$ 4.92
Entrega :
dhlupsfedex
Pago :
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AS4C64M8D1-5BIN información

  • Alliance Memory AS4C64M8D1-5BIN especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:60-TFBGA
  • テクノロジー:SDRAM - DDR
  • サプライヤーデバイスパッケージ:60-FBGA (8x13)
  • メモリサイズ:512Mb (64M x 8)
  • メモリタイプ:Volatile
  • 電圧 - 供給:2.3V ~ 2.7V
  • クロック周波数:200 MHz
  • アクセス時間:700 ps
  • メモリフォーマット:DRAM
  • メモリインターフェース:Parallel
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS4C64M8D1-5BIN fornecido por Alliance Memory
Alliance Memory は、Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix などの SRAM、DRAM、NOR FLASH IC のピン互換代替品であるレガシーおよび新技術メモリ製品を製造する世界的なファブレス メーカーです。当社の目標は、お客様との長期的な関係を築き、当社が製造する部品に対する長期的なサポートを提供することです。当社は、米国、上海、台湾に在庫を保有しており、SRAM、DRAM、FLASH 製品の大部分を在庫から直接お届けします。競争力のある価格設定、迅速なサンプル処理、世界クラスのカスタマー サービスとサポートにより、Alliance Memory は、通信、コンピューティング、組み込み、IoT、産業、消費者市場向けの必須メモリ IC の信頼できるリソースとなっています。Alliance Memory, Inc. は、米国ワシントンに本社を置く非公開企業です。
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