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Alliance Memory AS4C8M16SA-6TIN
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
N.º de pieza del fabricante :AS4C8M16SA-6TIN
Fabricante :Alliance Memory
Dasenic Número de pieza :AS4C8M16SA-6TIN-DS
Ficha de datos :
AS4C8M16SA-6TIN Ficha de datos
AS4C8M16SA-6TIN Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 108+ | $ 2.2860 | $ 246.89 |
| 648+ | $ 2.2500 | $ 1458 |
| 972+ | $ 2.2320 | $ 2169.5 |
| 1620+ | $ 2.2050 | $ 3572.1 |
| 3240+ | $ 2.1510 | $ 6969.24 |
En stock: 6598
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 2.286
Total :$ 2.29
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AS4C8M16SA-6TIN información
Alliance Memory AS4C8M16SA-6TIN especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- テクノロジー:SDRAM
- サプライヤーデバイスパッケージ:54-TSOP II
- メモリサイズ:128Mb (8M x 16)
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:3V ~ 3.6V
- クロック周波数:166 MHz
- アクセス時間:5 ns
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:12ns
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.32.0002
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS4C8M16SA-6TIN fornecido por Alliance Memory
Alliance Memory は、Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix などの SRAM、DRAM、NOR FLASH IC のピン互換代替品であるレガシーおよび新技術メモリ製品を製造する世界的なファブレス メーカーです。当社の目標は、お客様との長期的な関係を築き、当社が製造する部品に対する長期的なサポートを提供することです。当社は、米国、上海、台湾に在庫を保有しており、SRAM、DRAM、FLASH 製品の大部分を在庫から直接お届けします。競争力のある価格設定、迅速なサンプル処理、世界クラスのカスタマー サービスとサポートにより、Alliance Memory は、通信、コンピューティング、組み込み、IoT、産業、消費者市場向けの必須メモリ IC の信頼できるリソースとなっています。Alliance Memory, Inc. は、米国ワシントンに本社を置く非公開企業です。
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