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Central Semiconductor CP307-2N5308-WN
TRANS NPN DARL 40V 0.3A DIE
N.º de pieza del fabricante :CP307-2N5308-WN
Fabricante :Central Semiconductor
Dasenic Número de pieza :CP307-2N5308-WN-DS
Ficha de datos :
CP307-2N5308-WN Ficha de datos
CP307-2N5308-WN Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : TRANS NPN DARL 40V 0.3A DIE
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CP307-2N5308-WN información
Central Semiconductor CP307-2N5308-WN especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:Die
- パワー - 最大:625 mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:Die
- トランジスタタイプ:NPN - Darlington
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):300 mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):40 V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:1.4V @ 200µA, 200mA
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:100nA (ICBO)
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:20000 @ 100mA, 5V
- 周波数 - 遷移:60MHz
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
CP307-2N5308-WN fornecido por Central Semiconductor
Central Semiconductor は、個別半導体に真剣に取り組んでいます。当社の事業は、製造するデバイス、製品の提供、提供するサービスにおいて、常に完璧さを追求することです。さまざまな用途に対応するため、当社の製品は表面実装、スルーホール、ベアダイで提供されています。当社は幅広い標準デバイスを製造していますが、カスタム、特殊、その他のニッチな製品やサービスにも優れています。お客様の声に耳を傾け、業界の変化を監視しながら、当社の製品設計チームは、常に変化するお客様の要件や業界のトレンドを満たす新製品の開発に取り組んでいます。
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