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Etron Technology, Inc. EM6GE08EW8D-10H
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
N.º de pieza del fabricante :EM6GE08EW8D-10H
Fabricante :Etron Technology, Inc.
Dasenic Número de pieza :EM6GE08EW8D-10H-DS
Ficha de datos :
EM6GE08EW8D-10H Ficha de datos
EM6GE08EW8D-10H Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 17.1373 | $ 171.37 |
| 2500+ | $ 9.5207 | $ 23801.75 |
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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EM6GE08EW8D-10H información
Etron Technology, Inc. EM6GE08EW8D-10H especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Not For New Designs
- 動作温度:0°C ~ 95°C (TC)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:78-VFBGA
- テクノロジー:SDRAM - DDR3
- サプライヤーデバイスパッケージ:78-FBGA (9x10.5)
- メモリサイズ:4Gb (512M x 8)
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:1.425V ~ 1.575V
- クロック周波数:933 MHz
- アクセス時間:20 ns
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
EM6GE08EW8D-10H fornecido por Etron Technology, Inc.
1991年に設立されたEtron Technology, Inc.（TPEx: 5351. TW）は、アプリケーション主導のバッファメモリ、KGDM（Known Good Die Memory）、RPC DRAM（Long Retention Time DRAM）、その他の人工知能および機械学習誘導DRAM製品を専門とする世界クラスのファブレスおよび異種統合IC設計会社です。Etronは、USB Type-Cの高速転送インターフェースチップ、3D深度センシングコンピュータービジョン、パノラマ画像キャプチャチップなどのシステムインパッケージも開発しています。アジア太平洋地域における台湾の有利な地理的および財政的戦略的な位置を利用して、Etronは米国、欧州、日本、およびその他のアジア諸国の企業と積極的にビジネスを展開し、近隣諸国と国際市場との架け橋となるよう努めています。
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