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GeneSiC Semiconductor MBR2X080A120
DIODE SCHOTTKY 120V 80A SOT227
N.º de pieza del fabricante :MBR2X080A120
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :MBR2X080A120-DS
Ficha de datos :
MBR2X080A120 Ficha de datos
MBR2X080A120 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DIODE SCHOTTKY 120V 80A SOT227
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 26+ | $ 104.5800 | $ 2719.08 |
| 52+ | $ 99.7600 | $ 5187.52 |
| 104+ | $ 95.3600 | $ 9917.44 |
En stock: 1357
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 104.58
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MBR2X080A120 información
GeneSiC Semiconductor MBR2X080A120 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Schottky
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:880 mV @ 80 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:3 mA @ 120 V
- ダイオード構成:2 Independent
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):120 V
- 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):80A
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-40°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MBR2X080A120 fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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