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  • GeneSiC Semiconductor MSRTA200120(A)D

    DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
  • part number has RoHS
  • N.º de pieza del fabricante :MSRTA200120(A)D
  • Fabricante :GeneSiC Semiconductor
  • Dasenic Número de pieza :MSRTA200120(A)D-DS
  • Ficha de datos :pdf download MSRTA200120(A)D Ficha de datos
  • Descripción : DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
  • Paquete :-
  • Cantidad :
    Precio unitario : $ 237.4Total : $ 237.40
  • El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
  • Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pago :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
En stock: 2423
( MOQ : 1 PCS )
Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
CantidadPrecio unitarioTotal
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GeneSiC Semiconductor MSRTA200120(A)D especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ:Three Tower
スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Standard
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 200 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 1200 V
ダイオード構成:1 Pair Series Connection
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):200A
逆回復時間 (trr):-
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor MSRTA200120(A)D
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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