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Goford Semiconductor G06NP06S2

Name: G06NP06S2
Brand: Goford Semiconductor
SKU: G06NP06S2-DS
Price: 0.3548 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

En stock: 22052

MOQ: 1

4 Niveles de precios

N.º de pieza del fabricante :G06NP06S2
Fabricante :Goford Semiconductor
Dasenic # :G06NP06S2-DS
Ficha de datos : G06NP06S2 Ficha de datos PDF
Descripción : N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4
Paquete :-
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Goford Semiconductor G06NP06S2 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.

Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Estado del producto:Active

Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje:Surface Mount

Paquete / Caja:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Potencia - Máxima:2W (Tc), 2.5W (Tc)

Paquete de dispositivo del proveedor:8-SOP

Tipo F E T:N and P-Channel

Función F E T:Standard

Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):60V

Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:6A (Tc)

Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA

Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:22nC @ 10V, 25nC @ 10V

Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:-

Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant

Clasificación MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)

Estado de ALCANCE:REACH Unaffected

ECCN de EE. UU.:EAR99

HTS EE. UU.:8541.29.0095

Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

G06NP06S2 proporcionado por Goford Semiconductor

Desde su fundación en 1995, Goford Semiconductor se ha convertido en una empresa global con oficinas en Estados Unidos, Hong Kong, Australia, Shenzhen y Jiangsu. Siempre nos hemos dedicado a la investigación y el desarrollo y a las ventas de productos MOSFET de potencia. Nos centramos en la eficiencia energética, la movilidad y la fiabilidad para ofrecer productos rentables al mercado.