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Goford Semiconductor G20N06D52

Name: G20N06D52
Brand: Goford Semiconductor
SKU: G20N06D52-DS
Price: 0.3321 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

En stock: 7618

MOQ: 1

4 Niveles de precios

N.º de pieza del fabricante :G20N06D52
Fabricante :Goford Semiconductor
Dasenic # :G20N06D52-DS
Ficha de datos : G20N06D52 Ficha de datos PDF
Descripción : N60V,RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40M
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Goford Semiconductor G20N06D52 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.

Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Estado del producto:Active

Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje:Surface Mount

Paquete / Caja:8-PowerTDFN

Potencia - Máxima:45W (Ta)

Paquete de dispositivo del proveedor:8-DFN (4.9x5.75)

Tipo F E T:2 N-Channel (Dual)

Función F E T:Standard

Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):60V

Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:20A (Ta)

Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:30mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.5V @ 250µA

Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:25nC @ 10V

Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:1220pF @ 30V

Clasificación MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)

Estado de ALCANCE:REACH Unaffected

ECCN de EE. UU.:EAR99

HTS EE. UU.:8541.29.0095

Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant

Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

G20N06D52 proporcionado por Goford Semiconductor

Desde su fundación en 1995, Goford Semiconductor se ha convertido en una empresa global con oficinas en Estados Unidos, Hong Kong, Australia, Shenzhen y Jiangsu. Siempre nos hemos dedicado a la investigación y el desarrollo y a las ventas de productos MOSFET de potencia. Nos centramos en la eficiencia energética, la movilidad y la fiabilidad para ofrecer productos rentables al mercado.