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Infineon Technologies IPB160N08S403ATMA1
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
- N.º de pieza del fabricante :IPB160N08S403ATMA1
- Fabricante :Infineon Technologies
- Dasenic Número de pieza :IPB160N08S403ATMA1-DS
- Ficha de datos :
IPB160N08S403ATMA1 Ficha de datos - Descripción : MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
- Paquete :-
- Cantidad :Precio unitario : $ 4.3956Total : $ 4.40
- El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
- Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
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| 2000 + | $ 2.7593 | $ 5518.60 |
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Infineon Technologies IPB160N08S403ATMA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Estado del producto:Obsolete
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Paquete / Caja:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete de dispositivo del proveedor:PG-TO263-7-3
Disipación de potencia (máxima):208W (Tc)
Tipo F E T:N-Channel
Función F E T:-
Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):80 V
Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:160A (Tc)
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:4V @ 150µA
Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:112 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:7750 pF @ 25 V
Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):10V
Vgs (máximo):±20V
Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
ECCN de EE. UU.:EAR99
HTS EE. UU.:8541.29.0095
Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Infineon Technologies IPB160N08S403ATMA1
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) es un líder mundial en semiconductores para sistemas de energía e IoT. Infineon impulsa la descarbonización y la digitalización con sus productos y soluciones. Los productos semiconductores de la empresa incluyen ASIC, circuitos integrados de gestión de baterías, soluciones de relojes y temporización, protección contra descargas electroestáticas y sobretensiones, microcontroladores de memoria, soluciones de RF, seguridad y tarjetas inteligentes, sensores, transistores y diodos de señal pequeña, transceptores, conectividad inalámbrica, software y más. Estos productos se utilizan en aplicaciones de IoT, energía industrial ecológica, automoción, gestión de energía, soluciones de detección y seguridad. Infineon Technologies se fundó en 1999 como una escisión de Siemens AG. La empresa tiene su sede en Neubiberg, cerca de Múnich, Alemania, y cuenta con aproximadamente 56.200 empleados y 155 sucursales en todo el mundo.
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