
Las imágenes son sólo para referencia.
1 : $5.6800
El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !
Infineon Technologies IPB65R225C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
- N.º de pieza del fabricante :IPB65R225C7ATMA1
- Fabricante :Infineon Technologies
- Dasenic Número de pieza :IPB65R225C7ATMA1-DS
- Ficha de datos :
IPB65R225C7ATMA1 Ficha de datos
- Descripción : MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
- Paquete :-
- Cantidad :Precio unitario : $ 5.68Total : $ 5.68
- El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
- Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
- Entrega :
- Pago :
En stock: 2711
( MOQ : 1 PCS )Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
Cantidad | Precio unitario | Total |
1 + | $ 5.6800 | $ 5.68 |
3 + | $ 4.9000 | $ 14.70 |
10 + | $ 3.9400 | $ 39.40 |
100 + | $ 3.4200 | $ 342.00 |
Solicitar presupuesto
Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.
Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.
Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.
Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.
Infineon Technologies IPB65R225C7ATMA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Estado del producto:Discontinued at Digi-Key
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Paquete / Caja:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete de dispositivo del proveedor:PG-TO263-3
Disipación de potencia (máxima):63W (Tc)
Tipo F E T:N-Channel
Función F E T:-
Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):650 V
Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:11A (Tc)
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:225mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:4V @ 240µA
Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:20 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:996 pF @ 400 V
Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):10V
Vgs (máximo):±20V
Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
ECCN de EE. UU.:EAR99
HTS EE. UU.:8541.29.0095
Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Infineon Technologies IPB65R225C7ATMA1
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) es un líder mundial en semiconductores para sistemas de energía e IoT. Infineon impulsa la descarbonización y la digitalización con sus productos y soluciones. Los productos semiconductores de la empresa incluyen ASIC, circuitos integrados de gestión de baterías, soluciones de relojes y temporización, protección contra descargas electroestáticas y sobretensiones, microcontroladores de memoria, soluciones de RF, seguridad y tarjetas inteligentes, sensores, transistores y diodos de señal pequeña, transceptores, conectividad inalámbrica, software y más. Estos productos se utilizan en aplicaciones de IoT, energía industrial ecológica, automoción, gestión de energía, soluciones de detección y seguridad. Infineon Technologies se fundó en 1999 como una escisión de Siemens AG. La empresa tiene su sede en Neubiberg, cerca de Múnich, Alemania, y cuenta con aproximadamente 56.200 empleados y 155 sucursales en todo el mundo.
Infineon Technologies Recomendaciones de productos relacionados
Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.
IPB65R225C7ATMA1 mesmo tipo de produtos
Calificaciones y reseñas
Calificaciones
Por favor, Califica el producto!
Envía tus comentarios después de iniciar sesión en tu cuenta.