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Infineon Technologies IR2301PBF
IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
N.º de pieza del fabricante :IR2301PBF
Fabricante :Infineon Technologies
Dasenic Número de pieza :IR2301PBF-DS
Ficha de datos :
IR2301PBF Ficha de datos
IR2301PBF Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 2.2410 | $ 2.24 |
| 25+ | $ 2.1960 | $ 54.9 |
| 100+ | $ 2.1060 | $ 210.6 |
| 500+ | $ 2.0160 | $ 1008 |
| 1000+ | $ 1.9080 | $ 1908 |
En stock: 14881
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 2.241
Total :$ 2.24
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IR2301PBF información
Infineon Technologies IR2301PBF especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Gate Drivers
- 製品ステータス:Not For New Designs
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:8-DIP (0.300", 7.62mm)
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-PDIP
- 電圧 - 供給:5V ~ 20V
- チャンネルタイプ:Independent
- 駆動構成:High-Side or Low-Side
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:IGBT, N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 2.9V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:200mA, 350mA
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):600 V
- 上昇/下降時間（標準）:130ns, 50ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IR2301PBF fornecido por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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