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Infineon Technologies IRS2123STRPBF
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
N.º de pieza del fabricante :IRS2123STRPBF
Fabricante :Infineon Technologies
Dasenic Número de pieza :IRS2123STRPBF-DS
Ficha de datos :
IRS2123STRPBF Ficha de datos
IRS2123STRPBF Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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IRS2123STRPBF información
Infineon Technologies IRS2123STRPBF especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Gate Drivers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- 電圧 - 供給:10V ~ 20V
- チャンネルタイプ:Single
- 駆動構成:High-Side
- ドライバー数:1
- ゲートタイプ:IGBT, N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:-
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:500mA, 500mA
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):600 V
- 上昇/下降時間（標準）:80ns, 80ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IRS2123STRPBF fornecido por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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