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Infineon Technologies IRSM515-044DA2

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Infineon Technologies IRSM515-044DA2 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.

Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Full, Half-Bridge Drivers
Estado del producto:Discontinued at Digi-Key
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Características:Bootstrap Circuit
Tipo de montaje:Through Hole
Paquete / Caja:32-PowerDIP Module, 23 Leads
Tecnología:UMOS
Interfaz:Logic
Paquete de dispositivo del proveedor:23-DIPA
Voltaje - Suministro:13.5V ~ 16.5V
Corriente - Salida / Canal:3A
Corriente - Salida máxima:15A
Protección contra fallas:UVLO
Configuración de salida:Half Bridge (3)
Tipo de carga:Inductive
Rds activado (típico):800mOhm
Voltaje - Carga:200V (Max)
Aplicaciones:AC Motors
Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
ECCN de EE. UU.:EAR99
HTS EE. UU.:8542.39.0001
Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IRSM515-044DA2 proporcionado por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) es un líder mundial en semiconductores para sistemas de energía e IoT. Infineon impulsa la descarbonización y la digitalización con sus productos y soluciones. Los productos semiconductores de la empresa incluyen ASIC, circuitos integrados de gestión de baterías, soluciones de relojes y temporización, protección contra descargas electroestáticas y sobretensiones, microcontroladores de memoria, soluciones de RF, seguridad y tarjetas inteligentes, sensores, transistores y diodos de señal pequeña, transceptores, conectividad inalámbrica, software y más. Estos productos se utilizan en aplicaciones de IoT, energía industrial ecológica, automoción, gestión de energía, soluciones de detección y seguridad. Infineon Technologies se fundó en 1999 como una escisión de Siemens AG. La empresa tiene su sede en Neubiberg, cerca de Múnich, Alemania, y cuenta con aproximadamente 56.200 empleados y 155 sucursales en todo el mundo.

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Calificaciones y reseñas
Great Product

John D.

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Sarah M.

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Mike R.

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