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Inventchip IV1D12010O2

Name: IV1D12010O2
Brand: Inventchip
SKU: IV1D12010O2-DS
Price: 10.4940 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

En stock: 1690

MOQ: 1

4 Niveles de precios

N.º de pieza del fabricante :IV1D12010O2
Fabricante :Inventchip
Dasenic # :IV1D12010O2-DS
Ficha de datos : IV1D12010O2 Ficha de datos PDF
Descripción : SIC DIODE, 1200V 10A, TO-220-2
Paquete :-
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Inventchip IV1D12010O2 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.

Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single

Estado del producto:Active

Tipo de montaje:Through Hole

Paquete / Caja:TO-220-2

Paquete de dispositivo del proveedor:TO-220-2

Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)

Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky

Corriente - Promedio Rectificado ( Io):28A (DC)

Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:1.8 V @ 10 A

Corriente - Fuga inversa @ Vr:50 µA @ 1200 V

Capacitancia @ Vr, F:575pF @ 1V, 1MHz

Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):1200 V

Tiempo de recuperación inversa (trr):0 ns

Temperatura de funcionamiento - Unión:-55°C ~ 175°C (TJ)

Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant

Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

ECCN de EE. UU.:EAR99

HTS EE. UU.:8541.10.0080

Estado de ALCANCE:REACH is not affected

Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

IV1D12010O2 proporcionado por Inventchip

InventChip Technology Co., Ltd. es una empresa de semiconductores de alta tecnología, centrada en el desarrollo de dispositivos de potencia de carburo de silicio y productos de circuitos integrados de control/controladores. Fue fundada en 2017 y está ubicada en Shanghái, China. Inventchip ofrece soluciones de conversión de energía centradas en dispositivos de potencia de SiC, chips controladores de SiC y módulos de SiC adecuados para energía eólica, fotovoltaica, fuentes de alimentación industriales, vehículos de nueva energía, accionamientos de motores, pilas de carga y otros campos. Inventchip inició la investigación y el desarrollo de MOSFET de SiC de 6 pulgadas desde sus inicios. Después de tres años de intensa investigación y desarrollo, se convirtió en la primera empresa en China en dominar los procesos de MOSFET de SiC de 6 pulgadas y SBD, junto con los chips controladores de MOSFET de SiC. Inventchip se compromete a desarrollar dispositivos de potencia de SiC y productos de circuitos integrados rentables y de alta calidad, dedicados a la miniaturización del tamaño de los sistemas finales, la reducción de peso y la mejora de la eficiencia, y a proporcionar soluciones de semiconductores completas y llave en mano.