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Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
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  • Inventchip IV1D12020T3

    SIC DIODE, 1200V 20A(10A/LEG), T
  • part number has RoHS
  • N.º de pieza del fabricante :IV1D12020T3
  • Fabricante :Inventchip
  • Dasenic Número de pieza :IV1D12020T3-DS
  • Ficha de datos :pdf download IV1D12020T3 Ficha de datos
  • Descripción : SIC DIODE, 1200V 20A(10A/LEG), T
  • Paquete :-
  • Cantidad :
    Precio unitario : $ 14.859Total : $ 14.86
  • El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
  • Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pago :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
En stock: 1620
( MOQ : 1 PCS )
Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
CantidadPrecio unitarioTotal
1 +$ 14.8590$ 14.86
30 +$ 9.7317$ 291.95
120 +$ 14.8590$ 1783.08

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Inventchip IV1D12020T3 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Estado del producto:Active
Tipo de montaje:Through Hole
Paquete / Caja:TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor:TO-247-3
Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:1.8 V @ 20 A
Corriente - Fuga inversa @ Vr:100 µA @ 1200 V
Configuración de diodos:1 Pair Common Cathode
Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):1200 V
Corriente rectificada promedio ( Io) (por diodo):30A (DC)
Tiempo de recuperación inversa (trr):0 ns
Temperatura de funcionamiento - Unión:-55°C ~ 175°C
Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
ECCN de EE. UU.:EAR99
Estado de ALCANCE:REACH is not affected
Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Inventchip IV1D12020T3
InventChip Technology Co., Ltd. es una empresa de semiconductores de alta tecnología, centrada en el desarrollo de dispositivos de potencia de carburo de silicio y productos de circuitos integrados de control/controladores. Fue fundada en 2017 y está ubicada en Shanghái, China. Inventchip ofrece soluciones de conversión de energía centradas en dispositivos de potencia de SiC, chips controladores de SiC y módulos de SiC adecuados para energía eólica, fotovoltaica, fuentes de alimentación industriales, vehículos de nueva energía, accionamientos de motores, pilas de carga y otros campos. Inventchip inició la investigación y el desarrollo de MOSFET de SiC de 6 pulgadas desde sus inicios. Después de tres años de intensa investigación y desarrollo, se convirtió en la primera empresa en China en dominar los procesos de MOSFET de SiC de 6 pulgadas y SBD, junto con los chips controladores de MOSFET de SiC. Inventchip se compromete a desarrollar dispositivos de potencia de SiC y productos de circuitos integrados rentables y de alta calidad, dedicados a la miniaturización del tamaño de los sistemas finales, la reducción de peso y la mejora de la eficiencia, y a proporcionar soluciones de semiconductores completas y llave en mano.
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