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  • Inventchip IV1Q12160T4

    SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
  • part number has RoHS
  • N.º de pieza del fabricante :IV1Q12160T4
  • Fabricante :Inventchip
  • Dasenic Número de pieza :IV1Q12160T4-DS
  • Ficha de datos :pdf download IV1Q12160T4 Ficha de datos
  • Descripción : SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
  • Paquete :-
  • Cantidad :
    Precio unitario : $ 15.147Total : $ 15.15
  • El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
  • Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pago :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
En stock: 1596
( MOQ : 1 PCS )
Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
CantidadPrecio unitarioTotal
1 +$ 15.1470$ 15.15
30 +$ 9.9342$ 298.03
120 +$ 15.1470$ 1817.64

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Inventchip IV1Q12160T4 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-4
テクノロジー:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-4
消費電力(最大):138W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:20A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:195mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.9V @ 1.9mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:43 nC @ 20 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:885 pF @ 800 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):20V
Vgs (最大):+20V, -5V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Inventchip IV1Q12160T4
InventChip Technology Co., Ltd.は、シリコンカーバイドパワーデバイスとドライバー/コントロールIC製品の開発に注力するハイテク半導体企業です。2017年に設立され、中国上海に拠点を置いています。Inventchipは、風力エネルギー、太陽光発電、産業用電源、新エネルギー車、モータードライブ、充電パイルなどの分野に適したSiCパワーデバイス、SiCドライバーチップ、SiCモジュールを中心とした電力変換ソリューションを提供しています。Inventchipは、設立当初から6インチSiC MOSFETの研究開発に取り組んできました。3年間の集中的な研究開発を経て、中国で初めて6インチSiC MOSFETとSBDプロセス、およびSiC MOSFETドライバーチップを習得した企業となりました。Inventchipは、エンドシステムの小型化、軽量化、効率向上に特化した高品質でコスト効率の高いSiCパワーデバイスとIC製品の開発に取り組んでおり、完全なターンキー半導体ソリューションを提供しています。
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