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Inventchip IV1Q12160T4

Name: IV1Q12160T4
Brand: Inventchip
SKU: IV1Q12160T4-DS
Price: 17.1540 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

En stock: 1590

MOQ: 1

3 Niveles de precios

N.º de pieza del fabricante :IV1Q12160T4
Fabricante :Inventchip
Dasenic # :IV1Q12160T4-DS
Ficha de datos : IV1Q12160T4 Ficha de datos PDF
Descripción : SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
Paquete :-
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Inventchip IV1Q12160T4 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.

Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Estado del producto:Active

Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje:Through Hole

Paquete / Caja:TO-247-4

Tecnología:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Paquete de dispositivo del proveedor:TO-247-4

Disipación de potencia (máxima):138W (Tc)

Tipo F E T:N-Channel

Función F E T:-

Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):1200 V

Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:20A (Tc)

Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:195mOhm @ 10A, 20V

Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.9V @ 1.9mA

Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:43 nC @ 20 V

Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:885 pF @ 800 V

Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):20V

Vgs (máximo):+20V, -5V

Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant

Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

ECCN de EE. UU.:EAR99

Estado de ALCANCE:REACH is not affected

Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

IV1Q12160T4 proporcionado por Inventchip

InventChip Technology Co., Ltd. es una empresa de semiconductores de alta tecnología, centrada en el desarrollo de dispositivos de potencia de carburo de silicio y productos de circuitos integrados de control/controladores. Fue fundada en 2017 y está ubicada en Shanghái, China. Inventchip ofrece soluciones de conversión de energía centradas en dispositivos de potencia de SiC, chips controladores de SiC y módulos de SiC adecuados para energía eólica, fotovoltaica, fuentes de alimentación industriales, vehículos de nueva energía, accionamientos de motores, pilas de carga y otros campos. Inventchip inició la investigación y el desarrollo de MOSFET de SiC de 6 pulgadas desde sus inicios. Después de tres años de intensa investigación y desarrollo, se convirtió en la primera empresa en China en dominar los procesos de MOSFET de SiC de 6 pulgadas y SBD, junto con los chips controladores de MOSFET de SiC. Inventchip se compromete a desarrollar dispositivos de potencia de SiC y productos de circuitos integrados rentables y de alta calidad, dedicados a la miniaturización del tamaño de los sistemas finales, la reducción de peso y la mejora de la eficiencia, y a proporcionar soluciones de semiconductores completas y llave en mano.