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ISSI® IS22TF128G-JCLA2
128GB, 153 Ball FBGA, 3.3V, RoHS
N.º de pieza del fabricante :IS22TF128G-JCLA2
Fabricante :ISSI®
Dasenic Número de pieza :IS22TF128G-JCLA2-DS
Ficha de datos :
IS22TF128G-JCLA2 Ficha de datos
IS22TF128G-JCLA2 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : 128GB, 153 Ball FBGA, 3.3V, RoHS
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
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IS22TF128G-JCLA2 información
ISSI® IS22TF128G-JCLA2 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 105°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:153-VFBGA
- テクノロジー:FLASH - NAND (TLC)
- サプライヤーデバイスパッケージ:153-VFBGA (11.5x13)
- メモリサイズ:1Tbit
- メモリタイプ:Non-Volatile
- 電圧 - 供給:2.7V ~ 3.6V
- クロック周波数:200 MHz
- メモリフォーマット:Flash
- メモリインターフェース:eMMC_5.1
- シリーズ:Automotive, AEC-Q100
- 記憶の組織化:128G x 8
- パッケージ:Bulk
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS22TF128G-JCLA2 fornecido por ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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