Las imágenes son sólo para referencia.
1 : $38.9520
El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !
ISSI® IS43QR81024A-083TBLI-TR
8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s @
N.º de pieza del fabricante :IS43QR81024A-083TBLI-TR
Fabricante :ISSI®
Dasenic Número de pieza :IS43QR81024A-083TBLI-TR-DS
Ficha de datos :
IS43QR81024A-083TBLI-TR Ficha de datos
IS43QR81024A-083TBLI-TR Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s @
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 38.9520 | $ 389.52 |
| 250+ | $ 32.4600 | $ 8115 |
En stock: 582
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 38.952
Total :$ 38.95
Entrega :
Pago :
Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.
Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.
Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.
Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.
IS43QR81024A-083TBLI-TR información
ISSI® IS43QR81024A-083TBLI-TR especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 95°C (TC)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:78-TFBGA
- テクノロジー:SDRAM - DDR4
- サプライヤーデバイスパッケージ:78-TWBGA (10x14)
- メモリサイズ:8Gbit
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:1.14V ~ 1.26V
- クロック周波数:1.2 GHz
- アクセス時間:18 ns
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
- 記憶の組織化:1G x 8
- パッケージ:Tape & Reel (TR)
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43QR81024A-083TBLI-TR fornecido por ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
ISSI® Productos relacionados
Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.
