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IXYS DHG30I600HA
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
N.º de pieza del fabricante :DHG30I600HA
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :DHG30I600HA-DS
Ficha de datos :
DHG30I600HA Ficha de datos
DHG30I600HA Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 15+ | $ 3.0528 | $ 45.79 |
| 36+ | $ 2.5047 | $ 90.17 |
| 56+ | $ 2.4264 | $ 135.88 |
| 77+ | $ 2.3481 | $ 180.8 |
| 100+ | $ 2.2698 | $ 226.98 |
En stock: 6486
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 3.0528
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DHG30I600HA información
IXYS DHG30I600HA especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Estado del producto:Active
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:TO-247-2
- Paquete de dispositivo del proveedor:TO-247
- Velocidad:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Tipo de diodo:Standard
- Corriente - Promedio Rectificado ( Io):30A
- Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:2.36 V @ 30 A
- Corriente - Fuga inversa @ Vr:50 µA @ 600 V
- Capacitancia @ Vr, F:-
- Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):600 V
- Tiempo de recuperación inversa (trr):35 ns
- Temperatura de funcionamiento - Unión:-55°C ~ 150°C
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Estado de ALCANCE:REACH is not affected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DHG30I600HA fornecido por IXYS
Desde su fundación en Silicon Valley en 1983, IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) ha sido pionera a nivel mundial en el desarrollo de semiconductores de potencia, relés de estado sólido, circuitos integrados de alto voltaje y microcontroladores. Con una base de clientes finales de más de 3500 en las industrias industrial, automotriz, de comunicaciones, de consumo, médica y de transporte, IXYS es un proveedor reconocido a nivel mundial de semiconductores avanzados. IXYS se centra en diversas tecnologías de semiconductores, incluidos MOSFET de potencia, IGBT (transistores bipolares de puerta aislada), rectificadores, tiristores, diodos y otras soluciones de semiconductores discretas e integradas. La empresa también fabrica circuitos integrados de señal mixta y analógicos, amplificadores de potencia de RF y circuitos integrados de gestión de energía. En enero de 2018, Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) finalizó la adquisición de IXYS Corporation y IXYS fue excluida de la lista del NASDAQ.
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