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IXYS DMA10P1800PZ-TRL
POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
N.º de pieza del fabricante :DMA10P1800PZ-TRL
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :DMA10P1800PZ-TRL-DS
Ficha de datos :
DMA10P1800PZ-TRL Ficha de datos
DMA10P1800PZ-TRL Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 8.6592 | $ 8.66 |
| 800+ | $ 7.8720 | $ 6297.6 |
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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DMA10P1800PZ-TRL información
IXYS DMA10P1800PZ-TRL especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263HV
- スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):10A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.26 V @ 10 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 1800 V
- 静電容量 @ Vr、 F:4pF @ 400V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1800 V
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DMA10P1800PZ-TRL fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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