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IXYS IX2127G
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
N.º de pieza del fabricante :IX2127G
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IX2127G-DS
Ficha de datos :
IX2127G Ficha de datos
IX2127G Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 50+ | $ 1.5930 | $ 79.65 |
| 100+ | $ 1.5120 | $ 151.2 |
| 200+ | $ 1.4400 | $ 288 |
| 250+ | $ 1.3680 | $ 342 |
| 500+ | $ 1.0260 | $ 513 |
En stock: 5418
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 1.593
Total :$ 1.59
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IX2127G información
IXYS IX2127G especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:8-DIP (0.300", 7.62mm)
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-DIP
- 電圧 - 供給:9V ~ 12V
- チャンネルタイプ:Single
- 駆動構成:High-Side
- ドライバー数:1
- ゲートタイプ:IGBT, N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 3V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:250mA, 500mA
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):600 V
- 上昇/下降時間（標準）:23ns, 20ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IX2127G fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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