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IXYS IXDI602SIA

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :IXDI602SIA
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IXDI602SIA-DS
Referencia de cliente :
Descripción : IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
100+$ 0.9972$ 99.72
200+$ 0.6651$ 133.02
300+$ 0.6318$ 189.54
400+$ 0.6003$ 240.12
1000+$ 0.5697$ 569.7
En stock: 4800
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 0.9972
Total :$ 1.00
Entrega :
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Pago :
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IXDI602SIA información

  • IXYS IXDI602SIA especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 入力タイプ:Inverting
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
  • 電圧 - 供給:4.5V ~ 35V
  • チャンネルタイプ:Independent
  • 駆動構成:Low-Side
  • ドライバー数:2
  • ゲートタイプ:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 3V
  • 電流 - ピーク出力(ソース、シンク):2A, 2A
  • ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
  • 上昇/下降時間(標準):7.5ns, 6.5ns
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXDI602SIA fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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