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IXYS LDA111STR
N.º de pieza del fabricante :LDA111STR
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :LDA111STR-DS
Ficha de datos : LDA111STR Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : OPTOISO 3.75KV DARL W/BASE 6SMD
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En stock: 7095
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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LDA111STR información
IXYS LDA111STR especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Isolators/Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
- 製品ステータス:Active
- パッケージ/ケース:6-SMD, Gull Wing
- 動作温度:-40°C ~ 85°C
- 電圧絶縁:3750Vrms
- チャンネル数:1
- 入力タイプ:DC
- 出力タイプ:Darlington with Base
- 電圧出力(最大):30V
- 順方向電圧( Vf)( Typ):1.2V
- 電流- D C順方向( If)(最大):1 mA
- Vce飽和度(最大):1V
- オン/オフ時間(標準):8µs, 345µs
- 現在の転送比率(最大):30000% @ 1mA
- 現在の転送比率(最小):300% @ 1mA
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
LDA111STR fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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