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IXYS IX6R11S6

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 18SOIC
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :IX6R11S6
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IX6R11S6-DS
Ficha de datos :pdf download IX6R11S6 Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 18SOIC
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 8.3411$ 8.34
42+$ 7.5828$ 318.48
En stock: 2155
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 8.3411
Total :$ 8.34
Entrega :
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IX6R11S6 información

  • IXYS IX6R11S6 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
  • 製品ステータス:Obsolete
  • 動作温度:-40°C ~ 125°C (TA)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 入力タイプ:Non-Inverting
  • サプライヤーデバイスパッケージ:18-SOIC
  • 電圧 - 供給:10V ~ 35V
  • チャンネルタイプ:Independent
  • 駆動構成:Half-Bridge
  • ドライバー数:2
  • ゲートタイプ:IGBT, N-Channel MOSFET
  • ロジック電圧 - V I L、 V I H:6V, 9.6V
  • 電流 - ピーク出力(ソース、シンク):6A, 6A
  • ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):600 V
  • 上昇/下降時間(標準):25ns, 17ns
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:Vendor is not defined
  • 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IX6R11S6 fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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