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IXYS IXD611S1
N.º de pieza del fabricante :IXD611S1
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IXD611S1-DS
Ficha de datos : IXD611S1 Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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En stock: 4122
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IXD611S1 información
IXYS IXD611S1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- 電圧 - 供給:10V ~ 35V
- チャンネルタイプ:Independent
- 駆動構成:Half-Bridge
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:IGBT, N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:2.4V, 2.7V
- 電流 - ピーク出力(ソース、シンク):600mA, 600mA
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):600 V
- 上昇/下降時間(標準):28ns, 18ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXD611S1 fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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