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  • IXYS IXFT6N100F

    MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
  • part number has RoHS
  • N.º de pieza del fabricante :IXFT6N100F
  • Fabricante :IXYS
  • Dasenic Número de pieza :IXFT6N100F-DS
  • Ficha de datos :pdf download IXFT6N100F Ficha de datos
  • Descripción : MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
  • Paquete :-
  • Cantidad :
    Precio unitario : $ 11.6107Total : $ 11.61
  • El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
  • Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pago :
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En stock: 2724
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IXYS IXFT6N100F especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-268
消費電力(最大):180W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1000 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.9Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:5.5V @ 2.5mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:54 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1770 pF @ 25 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
REACH規則:Vendor is not defined
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXYS IXFT6N100F
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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