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  • IXYS IXGA8N100

    IGBT 1000V 16A 54W TO263
  • part number has RoHS
  • N.º de pieza del fabricante :IXGA8N100
  • Fabricante :IXYS
  • Dasenic Número de pieza :IXGA8N100-DS
  • Ficha de datos :pdf download IXGA8N100 Ficha de datos
  • Descripción : IGBT 1000V 16A 54W TO263
  • Paquete :-
  • Cantidad :
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  • El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
  • Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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IXYS IXGA8N100 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
入力タイプ:Standard
パワー - 最大:54 W
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263AA
逆回復時間 (trr):-
電流 - コレクター ( Ic) (最大):16 A
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1000 V
I G B Tタイプ:PT
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.7V @ 15V, 8A
電流 - コレクタパルス ( Icm):32 A
エネルギーの切り替え:2.3mJ (off)
ゲートチャージ:26.5 nC
Td (オン/オフ) @ 25° C:15ns/600ns
テスト条件:800V, 8A, 120Ohm, 15V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXGA8N100
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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