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  • IXYS IXGH16N60C2D1

    IGBT 600V 40A 150W TO247
  • part number has RoHS
  • N.º de pieza del fabricante :IXGH16N60C2D1
  • Fabricante :IXYS
  • Dasenic Número de pieza :IXGH16N60C2D1-DS
  • Ficha de datos :pdf download IXGH16N60C2D1 Ficha de datos
  • Descripción : IGBT 600V 40A 150W TO247
  • Paquete :-
  • Cantidad :
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  • El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
  • Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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IXYS IXGH16N60C2D1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
入力タイプ:Standard
パワー - 最大:150 W
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247AD
逆回復時間 (trr):30 ns
電流 - コレクター ( Ic) (最大):40 A
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
I G B Tタイプ:PT
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3V @ 15V, 12A
電流 - コレクタパルス ( Icm):100 A
エネルギーの切り替え:160µJ (on), 90µJ (off)
ゲートチャージ:25 nC
Td (オン/オフ) @ 25° C:16ns/75ns
テスト条件:400V, 12A, 22Ohm, 15V
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXYS IXGH16N60C2D1
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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