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IXYS IXGT30N60C2D1
IGBT 600V 70A 190W TO268
N.º de pieza del fabricante :IXGT30N60C2D1
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IXGT30N60C2D1-DS
Ficha de datos :
IXGT30N60C2D1 Ficha de datos
IXGT30N60C2D1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT 600V 70A 190W TO268
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IXGT30N60C2D1 información
IXYS IXGT30N60C2D1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:190 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-268AA
- 逆回復時間 (trr):25 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):70 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
- I G B Tタイプ:PT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.7V @ 15V, 24A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):150 A
- エネルギーの切り替え:190µJ (off)
- ゲートチャージ:70 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:13ns/70ns
- テスト条件:400V, 24A, 5Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXGT30N60C2D1 fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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