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IXYS IXSX35N120BD1
IGBT 1200V 70A 300W PLUS247
N.º de pieza del fabricante :IXSX35N120BD1
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IXSX35N120BD1-DS
Ficha de datos :
IXSX35N120BD1 Ficha de datos
IXSX35N120BD1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT 1200V 70A 300W PLUS247
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IXSX35N120BD1 información
IXYS IXSX35N120BD1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3 Variant
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:300 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:PLUS247™-3
- 逆回復時間 (trr):40 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):70 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- I G B Tタイプ:PT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3.6V @ 15V, 35A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):140 A
- エネルギーの切り替え:5mJ (off)
- ゲートチャージ:120 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:36ns/160ns
- テスト条件:960V, 35A, 5Ohm, 15V
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXSX35N120BD1 fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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