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  • IXYS MDD810-12N2

    MDD 810 - 12 N2
  • part number has RoHS
  • N.º de pieza del fabricante :MDD810-12N2
  • Fabricante :IXYS
  • Dasenic Número de pieza :MDD810-12N2-DS
  • Ficha de datos :pdf download MDD810-12N2 Ficha de datos
  • Descripción : MDD 810 - 12 N2
  • Paquete :-
  • Cantidad :
    Precio unitario : $ 553.6434Total : $ 553.64
  • El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
  • Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pago :
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En stock: 1508
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IXYS MDD810-12N2 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:Module
サプライヤーデバイスパッケージ:-
スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Standard
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.24 V @ 2000 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:50 mA @ 1200 V
ダイオード構成:1 Pair Series Connection
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):807A
逆回復時間 (trr):16.5 µs
動作温度 - 接合部:-40°C ~ 150°C
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS MDD810-12N2
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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