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  • IXYS MDNA660U2200PTEH

    BIPOLARMODULE-BRIDGE RECTIFIER E
  • part number has RoHS
  • N.º de pieza del fabricante :MDNA660U2200PTEH
  • Fabricante :IXYS
  • Dasenic Número de pieza :MDNA660U2200PTEH-DS
  • Ficha de datos :pdf download MDNA660U2200PTEH Ficha de datos
  • Descripción : BIPOLARMODULE-BRIDGE RECTIFIER E
  • Paquete :-
  • Cantidad :
    Precio unitario : $ 551.94Total : $ 551.94
  • El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
  • Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pago :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
En stock: 1902
( MOQ : 1 PCS )
Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
CantidadPrecio unitarioTotal
1 +$ 551.9400$ 551.94
3 +$ 496.5400$ 1489.62
5 +$ 439.0800$ 2195.40

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IXYS MDNA660U2200PTEH especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:E3
テクノロジー:Standard
サプライヤーデバイスパッケージ:E3
ダイオードタイプ:Three Phase
電圧 - ピーク逆電圧(最大):2.2 kV
電流 - 平均整流 ( Io):660 A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.95 V @ 660 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:400 µA @ 2.2 kV
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS MDNA660U2200PTEH
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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