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Kioxia America, Inc. TC58BYG0S3HBAI6

Name: TC58BYG0S3HBAI6
Brand: Kioxia America, Inc.
SKU: TC58BYG0S3HBAI6-DS
Price: 1.7370 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

En stock: 1697

MOQ: 1

5 Niveles de precios

N.º de pieza del fabricante :TC58BYG0S3HBAI6
Fabricante :Kioxia America, Inc.
Dasenic # :TC58BYG0S3HBAI6-DS
Ficha de datos : TC58BYG0S3HBAI6 Ficha de datos PDF
Descripción : IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
Paquete :-
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Kioxia America, Inc. TC58BYG0S3HBAI6 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.

Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit

Estado del producto:Active

Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo de montaje:Surface Mount

Paquete / Caja:67-VFBGA

Tecnología:FLASH - NAND (SLC)

Paquete de dispositivo del proveedor:67-VFBGA (6.5x8)

Tamaño de la memoria:1Gb (128M x 8)

Tipo de memoria:Non-Volatile

Voltaje - Suministro:1.7V ~ 1.95V

Frecuencia de reloj:-

Tiempo de acceso:25 ns

Formato de memoria:Flash

Interfaz de memoria:Parallel

Tiempo de ciclo de escritura - Word, Page:25ns

Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant

Clasificación MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)

Estado de ALCANCE:REACH Unaffected

ECCN de EE. UU.:3A991B1A

HTS EE. UU.:8542.32.0071

Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

TC58BYG0S3HBAI6 proporcionado por Kioxia America, Inc.

KIOXIA America, Inc. (anteriormente Toshiba Memory America, Inc.) es la subsidiaria con sede en EE. UU. de KIOXIA Corporation, un proveedor líder mundial de memoria flash y unidades de estado sólido (SSD). Desde la invención de la memoria flash hasta la revolucionaria tecnología actual BiCS FLASH™ 3D, KIOXIA continúa siendo pionera en soluciones y servicios de memoria de vanguardia que enriquecen la vida de las personas y amplían los horizontes de la sociedad. La innovadora tecnología de memoria flash 3D de la empresa, BiCS FLASH™, está dando forma al futuro del almacenamiento en aplicaciones de alta densidad, incluidos teléfonos inteligentes avanzados, PC, SSD, automoción y centros de datos.