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MoSys™ MSR630AGC-2512
IC MEMORY BW BURST 1GB FCBGA
- N.º de pieza del fabricante :MSR630AGC-2512
- Fabricante :MoSys™
- Dasenic Número de pieza :MSR630AGC-2512-DS
- Ficha de datos :
MSR630AGC-2512 Ficha de datos - Descripción : IC MEMORY BW BURST 1GB FCBGA
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MoSys™ MSR630AGC-2512 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
Estado del producto:Obsolete
Tipo de montaje:Surface Mount
Paquete / Caja:2512-BGA, FCBGA
Tecnología:SRAM, RLDRAM
Paquete de dispositivo del proveedor:2512-FCBGA (27x27)
Tamaño de la memoria:1Gbit
Tipo de memoria:Volatile
Tiempo de acceso:2.7 ns
Formato de memoria:RAM
Interfaz de memoria:Parallel
Organización de la memoria:16M x 72
Embalaje:Tray
Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
Estado de ALCANCE:Vendor is not defined
ECCN de EE. UU.:Provided as per user requirements
Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
MoSys™ MSR630AGC-2512
MoSys, Inc. (NASDAQ:MOSY) se centra en la aceleración de la inteligencia de datos y ofrece soluciones de semiconductores e IP que permiten un acceso rápido e inteligente a los datos y la toma de decisiones para una amplia gama de mercados, incluidos las redes en la nube, la seguridad, las redes 5G, SmartNIC, las pruebas y mediciones y los sistemas de vídeo. La familia Quazar de memorias de alta velocidad de MoSys y la familia Blazar de motores aceleradores son circuitos integrados de memoria con inteligencia, rendimiento y capacidad inigualables que eliminan los cuellos de botella del acceso a los datos para ofrecer velocidad e inteligencia en los sistemas, incluidos los que escalan desde 100 G hasta varios terabits por segundo. La familia Stellar de motores aceleradores virtuales de MoSys incluye sus plataformas de clasificación de paquetes para aplicaciones basadas en LPM y ACL integradas en FPGA de Achronix, Intel y Xilinx. Esta IP acelera las aplicaciones y es portátil en una amplia gama de configuraciones de hardware con o sin chips de silicio MoSys.
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