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Onsemi NTAT6H406NT4G
MOSFET N-CH 80V 175A ATPAK
- N.º de pieza del fabricante :NTAT6H406NT4G
- Fabricante :Onsemi
- Dasenic Número de pieza :NTAT6H406NT4G-DS
- Ficha de datos :
NTAT6H406NT4G Ficha de datos - Descripción : MOSFET N-CH 80V 175A ATPAK
- Paquete :-
- Cantidad :Precio unitario : $ 1.575Total : $ 1.57
- El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
- Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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( MOQ : 1 PCS )Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1 + | $ 1.5750 | $ 1.58 |
| 25 + | $ 1.5480 | $ 38.70 |
| 100 + | $ 1.4850 | $ 148.50 |
| 500 + | $ 1.4220 | $ 711.00 |
| 1000 + | $ 1.3410 | $ 1341.00 |
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Onsemi NTAT6H406NT4G especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Estado del producto:Active
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Paquete / Caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete de dispositivo del proveedor:DPAK/ATPAK
Disipación de potencia (máxima):90W (Tc)
Tipo F E T:N-Channel
Función F E T:-
Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):80 V
Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:175A (Ta)
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:2.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:4V @ 1mA
Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:110 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:8040 pF @ 40 V
Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):10V
Vgs (máximo):±20V
Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
Estado de ALCANCE:REACH is not affected
ECCN de EE. UU.:EAR99
Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Onsemi NTAT6H406NT4G
Fundada en 1999, ON Semiconductor (Nasdaq: ON) se centra en los mercados finales de la industria y la automoción, y está acelerando el cambio en megatendencias como la electrificación y la seguridad de los vehículos, las redes de energía sostenibles, la automatización industrial y la infraestructura 5G y en la nube. Onsemi ofrece una cartera diversa de productos semiconductores, que incluyen módulos discretos y de potencia, gestión de la energía, acondicionamiento y control de señales, sensores, control de motores, productos personalizados y ASSP, interfaces, conectividad inalámbrica, sincronización, lógica y memoria. Con una cartera de productos altamente diferenciada e innovadora, onsemi crea tecnologías inteligentes de energía y detección que resuelven los desafíos más complejos del mundo y lideran el camino en la creación de un mundo más seguro, limpio e inteligente. Con sede en Arizona, EE. UU., la empresa tiene una infraestructura sólida que incluye una extensa red de 19 plantas de fabricación, 43 centros de diseño y 8 centros de ingeniería de soluciones.
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