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Qimonda AG HYB25D512800CE-5
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
N.º de pieza del fabricante :HYB25D512800CE-5
Fabricante :Qimonda AG
Dasenic Número de pieza :HYB25D512800CE-5-DS
Ficha de datos :
HYB25D512800CE-5 Ficha de datos
HYB25D512800CE-5 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 9.6350 | $ 96.35 |
| 1500+ | $ 6.4233 | $ 9634.95 |
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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HYB25D512800CE-5 información
Qimonda AG HYB25D512800CE-5 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Discontinued at Digi-Key
- 動作温度:0°C ~ 70°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
- テクノロジー:SDRAM - DDR
- サプライヤーデバイスパッケージ:66-TSOP II
- メモリサイズ:512Mb (64M x 8)
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:2.3V ~ 2.7V
- クロック周波数:200 MHz
- アクセス時間:-
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.32.0036
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
HYB25D512800CE-5 fornecido por Qimonda AG
Qimonda AG は、DRAM、グラフィックス RAM、モバイル RAM、フラッシュ メモリなどのダイナミック ランダム アクセス メモリ (DRAM) 製品を専門とする著名な半導体企業でした。2006 年に Infineon Technologies からのスピンオフとして設立された Qimonda は、コンピューター、サーバー、家庭用電化製品など、さまざまな電子機器用の DRAM を製造する世界第 2 位の企業になりました。ドイツのミュンヘンに本社を置く Qimonda は、世界中の複数の場所に製造施設を構えていました。同社は世界中で約 13,500 人の従業員を雇用しており、そのうち約 2,000 人が研究開発 (R&D) に従事していました。高度な製造およびプロセス技術を活用し、Qimonda は 4 つの製造工場 (ファブ) と 6 つの主要な R&D 施設を誇り、高度なメモリ設計の最前線に立っていました。2008 年、Qimonda は最終的に破産に直面しました。インフィニオンは2014年にキマンダの資産を買収しました。2015年には、WiLAN（NASDAQ: WILN）の完全子会社であるPolaris Innovations Ltd.が、キマンダの特許ポートフォリオの大部分をインフィニオン テクノロジーズから買収しました。
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