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Rectron USA RM8N650HD
MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO263-2
N.º de pieza del fabricante :RM8N650HD
Fabricante :Rectron USA
Dasenic Número de pieza :RM8N650HD-DS
Ficha de datos :
RM8N650HD Ficha de datos
RM8N650HD Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO263-2
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 1.8216 | $ 18.22 |
| 800+ | $ 1.5180 | $ 1214.4 |
| 1600+ | $ 1.4280 | $ 2284.8 |
| 3200+ | $ 1.4080 | $ 4505.6 |
| 5600+ | $ 1.3500 | $ 7560 |
En stock: 505
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 1.8216
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RM8N650HD información
Rectron USA RM8N650HD especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263-2
- 消費電力（最大）:80W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:8A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:450mOhm @ 4A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:680 pF @ 50 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RM8N650HD fornecido por Rectron USA
レクトロン社は1976年に台湾政府の主導で設立され、台湾の資本と技術で半導体シリコン整流器を製造した最初の企業です。1985年に政府の認可を受け、台湾証券取引所に上場しました（株式コード2302）。40年以上の生産と管理の経験を持つレクトロン社は、垂直統合生産と組み立てアプローチを使用して、主に整流ダイオードを製造販売しています。これらの製品は、車両、家電製品、通信機器、コンピューター、端末、LED照明に使用されています。生産と販売の構成では、新北市の本社工場に加えて、中国の浙江省に生産拠点が拡大しています。レクトロンの販売拠点は、ロサンゼルスと香港の販売会社を含む世界中に広がっており、より充実した効率的な近隣サービスを顧客に提供することを目指しています。
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