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Renesas Electronics CA5260MZ
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
N.º de pieza del fabricante :CA5260MZ
Fabricante :Renesas Electronics
Dasenic Número de pieza :CA5260MZ-DS
Ficha de datos :
CA5260MZ Ficha de datos
CA5260MZ Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 5.3280 | $ 5.33 |
| 25+ | $ 5.2200 | $ 130.5 |
| 100+ | $ 5.0130 | $ 501.3 |
| 500+ | $ 4.7970 | $ 2398.5 |
| 1000+ | $ 4.5270 | $ 4527 |
En stock: 3636
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 5.328
Total :$ 5.33
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CA5260MZ información
Renesas Electronics CA5260MZ especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 125°C
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 電流 - 供給:9mA (x2 Channels)
- 出力タイプ:Rail-to-Rail
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- 回路数:2
- アンプタイプ:General Purpose
- -3db帯域幅:-
- 電流 - 出力 / チャンネル:45 mA
- スルーレート:5V/µs
- ゲイン帯域幅積:3 MHz
- 電流 - 入力バイアス:5 pA
- 電圧 - 入力オフセット:2 mV
- 電圧 - 供給範囲（最小）:4.5 V
- 電圧 - 供給範囲（最大）:16 V
- HTS 米国:0000.00.0000
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
CA5260MZ fornecido por Renesas Electronics
ルネサス エレクトロニクス株式会社は、産業、自動車、民生、その他の分野のさまざまなアプリケーション向けに高度な半導体ソリューションを提供する日本の半導体メーカーです。同社は、日立、三菱電機、NECエレクトロニクスの合弁会社として2003年に設立され、東京に本社を置いています。ルネサス エレクトロニクスは、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、システムオンチップ（SoC）、アナログおよびパワーデバイス、メモリデバイス、システム開発用のさまざまなソフトウェアやツールなど、幅広い製品とサービスを提供しています。これらの製品は、自動車、産業、家電、モバイルデバイス、ヘルスケアなど、さまざまなアプリケーションで使用されています。ハードウェア製品に加えて、ルネサスはお客様が独自のソリューションを開発および展開するのに役立つソフトウェアとツールも提供しています。e² studio統合開発環境（IDE）は複数の言語とプラットフォームをサポートしており、ルネサスはさまざまなアプリケーション向けのさまざまなソフトウェアスタックを提供しています。ルネサスはグローバルに展開しており、アジア、ヨーロッパ、南北アメリカにオフィスと製造施設があります。
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