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Rochester Electronics DF650R17IE4BOSA1
IGBT MOD 1700V 930A 4150W
N.º de pieza del fabricante :DF650R17IE4BOSA1
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :DF650R17IE4BOSA1-DS
Ficha de datos :
DF650R17IE4BOSA1 Ficha de datos
DF650R17IE4BOSA1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT MOD 1700V 930A 4150W
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 349.3350 | $ 349.34 |
| 25+ | $ 342.3510 | $ 8558.78 |
| 100+ | $ 328.3740 | $ 32837.4 |
| 500+ | $ 314.4060 | $ 157203 |
| 1000+ | $ 296.9370 | $ 296937 |
En stock: 1749
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 349.335
Total :$ 349.33
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DF650R17IE4BOSA1 información
Rochester Electronics DF650R17IE4BOSA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Not For New Designs
- 動作温度:-40°C ~ 150°C
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:4150 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- 構成:Single
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):930 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1700 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:5 mA
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.45V @ 15V, 650A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:54 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:Yes
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DF650R17IE4BOSA1 fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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